而gate走线就是接到每一个tft的gate端的走线，主要是作为gate driver送出信号来打开tft，好让tft对显示电极作充放电的动作。所以当下一条gate走线送出电压要打开下一个tft时，便会影响到储存电容上储存电压的大小。不过由于下一条gate走线打开到关闭的时间很短(以1024 x 768分辨率，60hz更新频率的面板来说。一条gate走线打开的时间约为20μs，而显示画面更新的时间约为16ms，所以相较下影响有限)，所以当下一条gate走线关闭，回复到原先的电压，夏普液晶屏代理lq173d1jw32，则cs储存电容的电压，也会随之恢复到正常。这也是为什么大多数的储存电容设计都是采用cs on gate的方式的原因。
这是也是成熟的做法，lg代理lp173wf4-spf5液晶屏，从技术和供应链上来讲几乎都是零难度，而且还降低了成本。对于屏、大屏手机来说，后置的指纹识别还带来了---的手持体验。
华为、诺基亚等厂商采用圆形、方形的id设计，比较美观；三星s8则采用竖直长条型的id设计，更适应用户指纹的方向，进而能获得---的体验。问题在于，对于部分厂商来说，和之---贯坚持的设计风格不符，在设计理念和用户习惯上都需要重新考虑。
这两种储存电容架构，液晶屏，图中可以很明显地知道，cs on gate由于不必像cs on common需要增加一条额外的common走线，所以其开口率(aperture ratio)比较大。而开口率的大小是影响面板的亮度与设计的重要因素，所以现今面板的设计大多使用cs on gate的方式。但是由于cs on gate方式的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的(请见图2中cs on gate与cs on common的等效电路)，
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