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目前传统的电容式指纹识别芯片，无论是主动式还是被动式，技术都已经成熟；能够提供成熟的支持coating产品的芯片厂商不下十家。进入2017年，价格竞争激烈，群创17.3寸液晶屏n173hhe-g32，各家芯片价格普遍到1美金左右。据晶圆代工业人士分析1美金已经达到主动式芯片的成本线，距离被动式芯片的成本也只有30%左右的空间。

所以各芯片厂家纷纷祭出后两招，即缩小感应区面积和采用固定尺寸的qfn封装，不过这显然是以损失用户体验和id设计的灵活性为代价的。

一般常见的储存电容架构有两种，分别是cs on gate与cs on common这两种。顾名思义，群创17.3寸液晶屏n173fga-e34，两者的主要差别在于储存电容是利用gate走线或是common走线来完成。在上一期文章中曾提到，储存电容主要是为了让充好电的电压能保持到下一次更新画面的时候之用，所以必须像在cmos的制程之中，利用不同层的走线来形成平行板电容。而在tft lcd的制程中，则是利用显示电极与gate走线或common走线所形成的平行板电容，群创17.3，来制作出储存电容cs。





这两种储存电容架构，群创17.3寸代理n173hca-ea3，图中可以很明显地知道，cs on gate由于不必像cs on common需要增加一条额外的common走线，所以其开口率(aperture ratio)比较大。而开口率的大小是影响面板的亮度与设计的重要因素，所以现今面板的设计大多使用cs on gate的方式。但是由于cs on gate方式的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的(请见图2中cs on gate与cs on common的等效电路)，

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