




而gate走线就是接到每一个tft的gate端的走线,主要是作为gate driver送出信号来打开tft,好让tft对显示电极作充放电的动作。所以当下一条gate走线送出电压要打开下一个tft时,全新原包nv173fhm-n4a液晶屏,便会影响到储存电容上储存电压的大小。不过由于下一条gate走线打开到关闭的时间很短(以1024 x 768分辨率,60hz更新频率的面板来说。一条gate走线打开的时间约为20μs,而显示画面更新的时间约为16ms,所以相较下影响有限),a规液晶屏lp173wf4-spf1,所以当下一条gate走线关闭,回复到原先的电压,则cs储存电容的电压,也会随之恢复到正常。这也是为什么大多数的储存电容设计都是采用cs on gate的方式的原因。

这两种储存电容架构,图中可以很明显地知道,cs on gate由于不必像cs on common需要增加一条额外的common走线,所以其开口率(aperture ratio)比较大。而开口率的大小是影响面板的亮度与设计的重要因素,液晶屏,所以现今面板的设计大多使用cs on gate的方式。但是由于cs on gate方式的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的(请见图2中cs on gate与cs on common的等效电路),
可以说,指纹识别前景一片向好,但随着手机全屏化趋势的来临,指纹识别该如何应对全屏化带来的技术与硬件的新要求?
此前,手机主要是提高左右两边的占比,边框越来越窄,直至目前左右边框的占比提升已经接近---,并在2.5d或3d玻璃曲面屏的配合下,边缘圆润,增强手感。因此,左右边界的屏幕扩展已无改进空间。目前提升手机上下两方的屏占比是解决之法,而要达到18:9甚至的屏幕显示比例,势---压缩---头、指纹、听筒等正面主要模块的空间,那么,指纹识别模块该放哪儿?
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